SK Hynix и Micron форсируют разработки 10-нм DRAM

[Ф_Bot]

Как известно, по технологичности производства оперативной памяти DRAM компания Samsung Electronics примерно на два года опережает конкурентов: компании SK Hynix и Micron. Массовый выпуск микросхем DRAM 10-нм класса (с нормами 18 нм) компания Samsung начала в марте 2016 года. Компания Micron к выпуску 18-нм микросхем памяти приступила в первом квартале текущего года, а компания SK Hynix планирует начать производство 18-нм памяти во второй половине текущего года. Уменьшение масштаба технологических норм положительно сказывается на операционной прибыли компаний, ведь с одной пластины выходит больше микросхем (если речь не идёт о большом уровне брака, вероятность которого повышается по мере уменьшения размера элементов). По оценкам аналитиков DRAMeXchange, при выпуске DRAM норма операционной прибыли Samsung находится на высшем среди конкурентов уровне и равна 54 %. Компания SK Hynix показывает меньший результат — 47 %, тогда как у компании Micron этот параметр равен 32,5 %. За счёт передовых техпроцессов и производства в Китае компании Samsung (и отчасти SK Hynix) с каждой проданной микросхемы памяти удаётся зарабатывать больше, чем Micron. Очевидно, что Micron, как SK Hynix, необходимо форсировать разработку техпроцессов выпуска памяти с нормами класса 10 нм. И они этим намерены заняться.

Дальше... (https://3dnews.ru/953127/?feed)