Samsung приближается к технологическому барьеру производства DRAM

[Ф_Bot]

При переходе с производства 40-нм микросхем памяти DRAM на 30-нм линейные размеры элементов на кристалле последовательно получалось уменьшать на 5–10 нм. Во время выпуска 20-нм DRAM шаг снижения масштаба технологических норм снижался на 2–3 нм. На этом этапе, например, производители памяти в массе отказались приводить точное значение технологических норм, перейдя на термин «класс». Так, 20-нм класс DRAM-продукции компании Samsung включал последовательно производство памяти с нормами 28, 25, 23 и 20 нм. С началом выпуска памяти класса 10 нм снижение линейных размеров снижено до шага 1 нм. Компания Samsung и другие производители DRAM вплотную подходят к барьеру, после которого снижение масштаба техпроцесса невозможно или затруднено по экономическим соображениям. Ожидается, что барьером станет производство памяти с нормами 15 нм. Но уже на этапе выпуска 18-нм памяти компания Samsung столкнулась с трудностями.

Дальше... (https://3dnews.ru/950966/?feed)